Memristor patent

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее. Ссылок за год. Повторяющиеся цитирования. Следующие статьи объединены в Академии. Статистика по общему числу цитат ведется только для первой статьи.


Поиск данных по Вашему запросу:

Базы онлайн-проектов:
Данные с выставок и семинаров:
Данные из реестров:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Memristor-Based Analog Computation and Neural Network Classification with a Dot Product Engine

3D CMOS, memristor nanotechnology for creating logical and memory matrices of neuroprocessor


Поскольку этот этап является критически важным для получения необходимых характеристик МИМ-структур, то отсутствие данного этапа дает возможность получения больших матриц МИМ-структур с однородными параметрами. Способ формирования мемристора на основе металл-изолятор-металл структуры включает формирование слоя изолятора из твердотельного сплава Si:Me, который формируют с заранее заданным профилем концентрации металла Me по толщине.

Также создан мемристор на основе металл-изолятор-металл структуры. Резистивный элемент переключения представляет собой оксид металла -ов , к примеру оксида вольфрама WO 3-x. Устройство включает в себя второй электрод, поверх оксидного слоя, сформованный из второго материала, являющегося благородным металлом.

Сопротивление данного устройства может изменяться при подаче возрастающего напряжения и, таким образом, возможно сохранение информации. Предполагаемым механизмом является электромиграция вакансий кислорода, в результате которой между верхними и нижним электродом образуются проводящие дорожки вакансий. Недостатком данного изобретения является то, что оно демонстрирует только 2 различных сопротивления, что пригодно только для построения цифровых схем.

Электрическое сопротивление наноструктуры может изменяется в ответ на электрическое напряжение, прикладываемое на электроды. При этом происходит электродиффузия материала второго электрода в матрицу кремния и формирование проводящей дорожки, что вызывает изменение электрического сопротивления структуры. Резистивное устройство может быть использовано в качестве элементарной ячейки памяти цифрового устройства энергонезависимой памяти для хранения одного или нескольких бит цифровых данных путем изменения его сопротивления между двумя или более значений.

Обычно исходные МИМ-структуры находятся в состоянии с большим сопротивлением. Формовка заключается в приложении напряжения, равного рабочему, но на существенно большее время, чем необходимо для переключений в последующем. В результате этого происходит электродиффузия атомов материала электрода в аморфный кремний и получение неоднородных параметров отдельных МИМ-структур. При этом этот процесс является критически важным для конечных параметров конкретной МИМ-структуры, так как в нем формируется профиль распределения легирующих атомов в матрице аморфного кремния.

Наличие формовки является существенным недостатком данного изобретения, так как этот процесс плохо контролируем, и при этом является критически важным для получения необходимых электрофизических характеристик МИМ-структур.

Тем самым данный этап является существенным препятствием на пути получения больших матриц МИМ-структур с однородными параметрами. Этот регион может быть легирован атомами, которые создают электронные уровни в запрещенной зоне.

Активный регион заключен между 2-мя соями металлов, которые могут быть сделаны из Pt, Au, Cu, W или любого другого металла. Устройство, сделанное по этой формуле, может демонстрировать как минимум 2 различных уровня электрического сопротивления, переключения между которыми осуществляется путем подачи электрического напряжения на металлические слои. Недостатком изобретения является необходимость этапа формовки при изготовлении устройства при первичном переключении сопротивления и, тем самым, невозможность получения однородных электрофизических параметров отдельных МИМ-структур.

Между электродами расположен слой аморфного кремния a-Si. Принцип работы устройства заключается в следующем: при подаче напряжения на электроды происходит электромиграция атомов из электрода 2 в слой аморфного кремния, в результате чего формируется проводящая дорожка между электродами, уменьшающая электрическое сопротивление.

Существенным недостатком данного изобретения также является наличие этапа формовки, так как этот процесс плохо контролируем, и при этом является критически важным для получения необходимых электрофизических характеристик МИМ-структур. Первый металлический электрод содержит в себе первый металл, который может состоять из общих металлов, используемых в полупроводниковой обработке, таких как вольфрам, медь или алюминий, а второй металлический электрод состоит из второго металла, который может включать в себя такие материалы, как серебро, золото, палладий, платину или другие подходящие металлы.

Переключающим материалом, как правило, является непроводящий материал - аморфный кремний. Также возможно дополнительное введение буферного слоя между первым металлическим электродом и переключающимся слоем.

Буферный слой необходим для предотвращения диффузии металла второго электрода в область, непосредственно контактирующую с первым электродом. Буферный слой выбран так, чтобы иметь хорошую и надежную адгезию с первым электродом, а также со слоем аморфного кремния, причем буферный слой может быть толщиной, например, более 20 нм.

Такая структура слоев позволяет уменьшить токи переключения, энергопотребление и улучшает надежность устройства. В зависимости от варианта, один или несколько из этих преимуществ могут быть реализованы. Данное изобретение является ближайшим аналогом предлагаемого технического решения, то есть прототипом. Недостатком изобретения является необходимость этапа формовки при изготовлении устройства при первичном переключении сопротивления и тем самым невозможность получения однородных электрофизических параметров отдельных МИМ-структур.

Задачей настоящего изобретения является обеспечение создания мемристивных структур без этапа электрической формовки и улучшеной однородностью параметров отдельных МИМ-структур путем создания мемристора с изначально заданным профилем легирующей примеси. Кроме того, формируют слой Si:Me, последовательно осаждая слои Si и Me толщинами 0.

Кроме того, перед осаждением слоя Si:Me на поверхности полупроводниковой подложки формируют слой SiO 2 толщиной нм. На фиг. Формирование слоя изолятора из твердотельного сплава Si:Me на высоколегированной полупроводниковой подложке Si производят осаждением сверхтонких 0. Причем профиль возрастания концентрации может иметь любую зависимость от толщины. Такой заранее заданный профиль распределения Me в Si позволяет избежать этапа электрической формовки структур, что существенно улучшает однородность электрофизических параметров МИМ-структур, созданных на основе таких твердотельных сплавов.

Экспериментальные результаты были получены на характеризаторе полупроводниковых приборов Agilent Ba, работающем в режиме измерителя вольт-амперных характеристик ВАХ в режиме линейной развертки напряжения с ограничением уровня токов, устанавливаемой вручную. Последовательно измерялись ВАХ с постепенным увеличением максимального напряжения, как в прямой, так и в обратной ветви. Эта технология позволяет выращивать сверхтонкие слои с точным составом и толщиной.

Толщина отдельного слоя Si составляла 0,5 нм номинальной, толщина отдельного слоя Au варьировалась в пределах 0. Суммарное число слоев - 20 Фиг.

Таким образом, был сформирован градиент концентрации Au в Si 6, Фиг. Далее был выращен электрод 5, Фиг. Обратный контакт осуществлялся путем осаждения Al на обратную сторону кремниевой подложки. Помимо приведенного примера, ожидается, что возможно получение аналогичных эффектов на МИМ-структурах на основе сплавов Si:Me, где в качестве Me могут быть использованы любые другие металлы, не образующие стабильные силициды.

Например, серебро Ag , олово Sn или алюминий Al. Структура мемристора фиг. Также мемристор может содержать изолирующую прослойку 2 из SiO 2. Слой Si:Me выполнен толщиной нм. Количество слоев Si и Me может быть в пределах Верхний слой металла может быть выполнен из Au, Ag или Ni. Между слоем изолятора и подложкой может быть выполнен слой SiO 2 толщиной нм. Изначально структуры находились в состоянии с высоким сопротивлением.

При измерении ВАХ с разверткой в пределах При этом этапа формовки не потребовалось, на что изначально и было ориентировано данное изобретение. Было получено до 5 различных сопротивлений. Было получено до 3-х различных сопротивлений структуры. Изменения сопротивления структуры можно объяснить следующим образом: при приложении положительного потенциала на верхний электрод положительно заряженные атомы из слоев Au электромигрируют по направлению к нижнему электроду.

В результате чего образуются проводящие дорожки между слоями, уменьшая общее сопротивление слоя твердотельного сплава.

Наличие многих различных сопротивлений можно объяснить тем, что проводящие дорожки формируются между различными слоями металла, вызывая каждый раз очередной шаг уменьшения сопротивления.

При приложении же отрицательного напряжения происходит обратные процесс и сопротивление структуры растет. Это дает возможность формировать большие матрицы МИМ-структур с более однородными параметрами, чем у структур, описанных в прототипе. Способ по п. Мемристор по п. Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики иили энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл.

Для этого рост изолятора осуществляют путем поочередного осаждения сверхтонких слоев Si и Me различной толщины таким образом, что обеспечивается рост концентрации Me в Si, по направлению от нижнего электрода к верхнему электроду в пределах Регистрация патентов. Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава si:me и структура мемристора на основе твердотельного сплава si:me. Авторы патента:.

Зенкевич Андрей Владимирович RU. Матвеев Юрий Александрович RU. Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии ПЭМП.

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств. Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру С с повышенной стойкостью к усталости. Изобретение относится к области электрически записываемых и стираемых энергонезависимых флэш-ЗУ.

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с выполненной в виде колонны ячейкой стираемой программируемой постоянной памяти с плавающим затвором и управляющим затвором и к способу для его изготовления. Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении паразитной емкости между плавающими затворами соседних флэш элементов памяти и предотвращении стирания информации соседних флэш элементов памяти.

Флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с истоком и стоком, сформированными в ней, и последовательно выполненные на подложке между истоком и стоком туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и проводящий затвор, причем запоминающий слой выполнен в виде сплошного инертного проводящего слоя из нитрида тантала TaN или нитрида титана TiN, нижний предел толщины запоминающего слоя ограничен возможностью существования сплошного слоя, а верхний предел - желанием снизить эффект интерференции и величину паразитной емкости.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Радиационно-стойкая энергонезависимая программируемая логическая интегральная схема включает функциональные блоки, систему межсоединений и конфигурационную матрицу программируемых ячеек.

Ячейки схемы содержат первый и второй инверторы, первый n-канальный транзистор управления режимом работы программируемой ячейки, включенный между выходом второго и входом первого инверторов. Исток p-канального транзистора программирования подключен к шине напряжения питания программирования, сток к первым электродам первой и второй перемычек antifuse, вторые электроды перемычек antifuse подключены к первой и второй разрядным шинам.

Второй n-канальный транзистор управления режимом работы программируемой ячейки включен между первой и второй перемычками antifuse и входом первого инвертора.

Адресный транзистор подключен ко входу первого инвертора. Заявленная конструкция позволяет повысить степень интеграции и упростить техническую реализацию программируемых логических интегральных схем. Изобретение относится к микросистемной технике, а именно к способу изготовления энергонезависимых электромеханических элементов памяти с подвижными электродами.

Согласно способу наносят на подложку в виде кремниевой монокристаллической пластины изолирующий диэлектрический слой и легированный слой кремния, затем формируют неподвижные и подвижные электроды одновременно в плоскости наносимых изолирующего диэлектрического и легированного кремниевого слоев параллельно плоскости подложки. Ширина подвижного электрода должна быть не более двойной толщины изолирующего диэлектрического слоя. Ширина неподвижных электродов должна быть равной не менее четырехкратной толщины изолирующего диэлектрического слоя.

Технический результат - уменьшение трудоемкости, повышение надежности электромеханического элемента памяти с подвижными электродами. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании.

На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до , превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO2.


Как работает половинный сумматор из перекладины?

Replaced by: gik. Manual status. This feed was manually archived happens for various reasons. What now? If you were subscribed to this series when it was replaced, you will now be subscribed to the replacement series.

Смартфон или планшет? safe-crypto.me Как может выглядеть гибкий планшет Samsung. В Сети нашли патент компании Samsung, описывающий дизайн.

Случайно открытая технология ReRAM вытеснит флешки

Специальность В последние несколько десятилетий идеи создания высокоэффективных биоподобных процессоров обретают все большую реальность в прикладных исследованиях. Иными словами, большой интерес в научной среде вызывает проблема искусственного аналога мозга, то есть создание систем, способных к обучению, накоплению опыта, анализу и классификации независимой информации. Однако колоссальная сложность строения даже самого простого мозга все еще создает значительный барьер для аппаратной реализации подобных идей. Поэтому большинство текущих исследований, помимо теоретического моделирования и симуляций, направлены на создание и характеризацию отдельных компонентов, которые, как ожидается, функционально будут имитировать поведение нейронов и синапсов -основных компонентов нервной системы. В свою очередь, цепи или сложные системы, сформированные из таких компонентов, будут обладать адаптивным перестраиваемым поведением. Ожидается, что подобная задача может быть решена в рамках бурно развивающегося в последние годы направления, по созданию и применению мемристоров. Свойства данного класса электронных элементов необычны и во многом уникальны. Мемристор -двухэлектродный элемент, который может быть рассмотрен как резистор с памятью, обладает способностью изменять свою проводимость в зависимости от предыдущего функционирования, то есть истории его участия в процессе передачи сигнала в цепи, что делает этот элемент привлекательным для решения выше обозначенной задачи.

circumvent a patent

Memristor patent

Claim patent — Patent claims are the part of a patent or patent application that defines the scope of protection granted by the patent. High speed steel — often abbreviated HSS, sometimes HS is a material usually used in the manufacture of machine tool bits and other cutters. It is often used in power saw blades and drill bits. Reverse engineering — is the process of discovering the technological principles of a device, object, or system through analysis of its structure, function, and operation.

Научно-исследовательский физико-технический институт. Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники.

Лебединский Юрий Юрьевич (RU)

Автор: Никифоридис. Сообщество : Фабрика идей. Открыть в размере экрана. Понравился пост? Поддержи Фишки, нажми:. А что вы думаете об этом?

WO2013073993A8 - Мемристор на основе смешанного оксида металлов - Google Patents

Я изучаю мемристоры, и одно приложение, которое часто цитируется, представляет собой перекладину, которая сэндвичит мемристоры между двумя слоями проводов, чтобы сформировать сетку. В большинстве примеров это настраивается как сумматор. Я включил изображение из Википедии ниже и here is a link в соответствующий патент HP с большим количеством иллюстраций. Из патента, я понимаю, что существует некоторая последовательность напряжений, применяемых к проводам, которые фиксируют значения, а затем передают их. Однако я не могу понять, что именно происходит. Я знаком с половинными сумматорами, состоящими из простых логических ворот: 1 XOR с 1 и дает выходы Sum и Carry. Может ли кто-нибудь объяснить объяснение перекладины половину суммирования в аналогичном контексте?

Сегментный индикатор был запатентован в году (U.S. Patent ) Фрэнком Вудом. Эта реализация была восьмисегментной — был.

Шарапов Александр Николаевич

Хай-тек новости. Инженеры компании Hewlett-Packard представили новый интегральный компонент, получивший название Memristor, использоваться он будет для построения модулей оперативной памяти нового поколения, а также для постоянных запоминающих устройств, входящих в конструкцию, например, мобильных телефонов. Как заявляют разработчики, данные в схемах, созданных по этой технологии, сохраняются и после отключения электропитания.

Университет Райса предложил свой вариант резистивной памяти

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Everything you wish you knew about Memristors, Part 1 - The Chua Lectures

Откройте для себя все, что может предложить Scribd, включая книги и аудиокниги от крупных издательств. WO A1, US A, US A1,

Холодова, ;.

Прит Банерджи: «Мы работаем над проектом создания центральной нервной системы Земли»

Портал функционирует при финансовой поддержке Федерального агентства по печати и массовым коммуникациям. Эра электроники, построенной на кремнии, длится уже более полувека. Выход из сложившейся ситуации — строить вычисления, основанные на других физических принципах. Это и квантовые компьютеры, и графеновые нанотрубки, и мемристоры, и фотонный процессор, и обратимые вычисления, и биокомпьютеры, и даже вычисления на вакууме, где роль логических элементов выполняют энергетические колебания вакуума. Какие-то направления признаются научным сообществом, другие по-прежнему считаются уделом эксцентричных одиночек. У российских исследователей площадка для обмена идеями в области сверхмощных вычислений появилась в году.

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее. Ссылок за год. Повторяющиеся цитирования.


Комментарии 4
Спасибо! Ваш комментарий появится после проверки.
Добавить комментарий

  1. Ферапонт

    В любом случае.

  2. Георгий

    Автору нужно памятник постаить за такое!:)

  3. Лучезар

    Извините за то, что вмешиваюсь… Мне знакома эта ситуация. Приглашаю к обсуждению. Пишите здесь или в PM.

  4. Борислава

    много было разговоров об этом. но думаю, что труха.